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IQE013N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IQE013N04LM6CGATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TTFN-9-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3

Menge:

Auf Lager : 2459 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.5745

$2.5745
10

$2.13655

$21.3655
100

$1.70078

$170.078
500

$1.43909

$719.545
1000

$1.22106

$1221.06
2000

$1.16

$2320

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 51µA
Base Product Number	IQE013
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 107W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TTFN-9-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3900 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)

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