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IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IQDH35N03LM5CGATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TTFN-9-U02

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™ 5
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	9-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1.46mA
Base Product Number	IQDH35
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 278W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TTFN-9-U02
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	197 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	18000 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	66A (Ta), 700A (Tc)

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