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IPU60R1K0CEAKMA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPU60R1K0CEAKMA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO251-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3

Menge:

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Firmenname

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ CE
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 130µA
Base Product Number	IPU60R1
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	61W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.3A (Tc)

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