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IPU10N03LA G

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPU10N03LA G

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

P-TO251-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Base Product Number	IPU10N
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)	52W (Tc)
Supplier Device Package	P-TO251-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1358 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)

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