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IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPT60R102G7XTMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-HSOF-8-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF

Menge:

Auf Lager : 607 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.89

$5.89
10

$5.0483

$50.483
100

$4.20669

$420.669
500

$3.71182

$1855.91
1000

$3.34064

$3340.64

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ G7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerSFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 390µA
Base Product Number	IPT60R102
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	102mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max)	141W (Tc)
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1320 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Tc)

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