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IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPT60R080G7XTMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-HSOF-8-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF

Menge:

Auf Lager : 5965 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$7.5715

$7.5715
10

$6.48755

$64.8755
100

$5.40616

$540.616
500

$4.7701

$2385.05
1000

$4.29309

$4293.09

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ G7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerSFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 490µA
Base Product Number	IPT60R080
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max)	167W (Tc)
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1640 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	29A (Tc)

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