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IPT60R028G7XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPT60R028G7XTMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-HSOF-8-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF

Menge:

Auf Lager : 5600 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$18.259

$18.259
10

$16.0816

$160.816
100

$13.90876

$1390.876
500

$12.6048

$6302.4

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ G7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerSFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1.44mA
Base Product Number	IPT60R028
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 28.8A, 10V
Power Dissipation (Max)	391W (Tc)
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4820 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)

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