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IPT111N20NFDATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPT111N20NFDATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-HSOF-8-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF

Menge:

Auf Lager : 7886 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$8.436

$8.436
10

$7.2276

$72.276
100

$6.02271

$602.271
500

$5.31414

$2657.07
1000

$4.78272

$4782.72

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerSFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 267µA
Base Product Number	IPT111
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7000 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	96A (Tc)

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