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IPT026N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPT026N10N5ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-HSOF-8-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF

Menge:

Auf Lager : 7232 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$4.845

$4.845
10

$4.0698

$40.698
100

$3.29241

$329.241
500

$2.92655

$1463.275
1000

$2.50586

$2505.86

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™5
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerSFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 158µA
Base Product Number	IPT026
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max)	214W (Tc)
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8800 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	27A (Ta), 202A (Tc)

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