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IPT020N10N3ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPT020N10N3ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-HSOF-8-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

Menge:

Auf Lager : 5042 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$8.075

$8.075
10

$7.2979

$72.979
100

$6.04209

$604.209
500

$5.26134

$2630.67
1000

$4.58246

$4582.46

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerSFN
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 272µA
Base Product Number	IPT020
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11200 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	300A (Tc)

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