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IPT017N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPT017N10NF2SATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-HSOF-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET

Menge:

Auf Lager : 1760 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.472

$5.472
10

$4.59325

$45.9325
100

$3.71583

$371.583
500

$3.30297

$1651.485

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	StrongIRFET™ 2
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerSFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 216µA
Base Product Number	IPT017
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 300W (Tc)
Supplier Device Package	PG-HSOF-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9300 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	33A (Ta), 294A (Tc)

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