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IPT012N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPT012N08NF2SATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-HSOF-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET

Menge:

Auf Lager : 1702 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.1965

$5.1965
10

$4.36145

$43.6145
100

$3.52811

$352.811
500

$3.1361

$1568.05

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	StrongIRFET™ 2
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerSFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 267µA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 300W (Tc)
Supplier Device Package	PG-HSOF-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	255 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12000 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	39A (Ta), 351A (Tc)

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