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IPS118N10N G

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPS118N10N G

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO251-3-11

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3

Menge:

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO251-3-11
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4320 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)

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