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IPP80R1K4P7

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPP80R1K4P7

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

IPP80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANN

Menge:

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 70µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max)	32W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)

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