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IPP65R115CFD7AAKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPP65R115CFD7AAKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3

Menge:

Auf Lager : 27 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$6.0515

$6.0515
10

$5.08155

$50.8155
100

$4.11122

$411.122
500

$3.65438

$1827.19
1000

$3.12907

$3129.07
2000

$2.94635

$5892.7

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 490µA
Base Product Number	IPP65R115
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max)	114W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1950 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)

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