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IPP65R110CFDXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPP65R110CFDXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220-3

Menge:

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Firmenname

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.3mA
Base Product Number	IPP65R110
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max)	277.8W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3240 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	31.2A (Tc)

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