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IPP65R099CFD7AAKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPP65R099CFD7AAKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

Menge:

Auf Lager : 43 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$6.764

$6.764
10

$5.795

$57.95
100

$4.82951

$482.951
500

$4.26133

$2130.665
1000

$3.83519

$3835.19
2000

$3.59372

$7187.44

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 630µA
Base Product Number	IPP65R099
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	127W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2513 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Tc)

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