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IPP60R600E6

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPP60R600E6

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS E6™
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max)	63W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	440 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.3A (Tc)

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