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IPP60R299CPXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPP60R299CPXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3

Menge:

Auf Lager : 307 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.1065

$3.1065
10

$2.7911

$27.911
100

$2.28655

$228.655
500

$1.94653

$973.265
1000

$1.64164

$1641.64
2000

$1.55956

$3119.12
5000

$1.50093

$7504.65

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 440µA
Base Product Number	IPP60R299
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max)	96W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)

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