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IPP60R099CPXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPP60R099CPXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3

Menge:

Auf Lager : 1302 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$8.588

$8.588
10

$7.7615

$77.615
100

$6.4257

$642.57
500

$5.59538

$2797.69
1000

$4.8734

$4873.4
2000

$4.6929

$9385.8

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.2mA
Base Product Number	IPP60R099
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max)	255W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2800 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	31A (Tc)

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