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IPP50R199CPXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPP50R199CPXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3

Menge:

Auf Lager : 480 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.5815

$3.5815
10

$3.21385

$32.1385
100

$2.6333

$263.33
500

$2.24165

$1120.825
1000

$1.89055

$1890.55
2000

$1.79603

$3592.06
5000

$1.72851

$8642.55

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 660µA
Base Product Number	IPP50R199
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max)	139W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	550 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17A (Tc)

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