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IPP12CN10LGXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPP12CN10LGXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3

Menge:

Auf Lager : 912 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.957

$1.957
10

$1.75655

$17.5655
100

$1.41179

$141.179
500

$1.15993

$579.965
1000

$0.96109

$961.09
2000

$0.89481

$1789.62
5000

$0.86166

$4308.3
10000

$0.82853

$8285.3

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 83µA
Base Product Number	IPP12CN10
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5600 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	69A (Tc)

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