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IPP04CN10NGXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPP04CN10NGXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MV POWER MOS

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™ 2
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Last Time Buy
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	IPP04CN10
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13800 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)

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