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IPP048N12N3GXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPP048N12N3GXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3

Menge:

Auf Lager : 1405 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$4.3795

$4.3795
10

$3.933

$39.33
100

$3.22268

$322.268
500

$2.74339

$1371.695
1000

$2.31369

$2313.69
2000

$2.19801

$4396.02

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 230µA
Base Product Number	IPP048
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	182 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12000 pF @ 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)

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