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IPP023NE7N3GXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPP023NE7N3GXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3

Menge:

Auf Lager : 2005 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$6.0895

$6.0895
10

$5.46725

$54.6725
100

$4.47963

$447.963
500

$3.81339

$1906.695
1000

$3.21611

$3216.11
2000

$3.05531

$6110.62

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 273µA
Base Product Number	IPP023
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14400 pF @ 37.5 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)

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