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IPP023N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPP023N10N5XKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

TRENCH >=100V

Menge:

Auf Lager : 500 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$6.289

$6.289
10

$5.28295

$52.8295
100

$4.27405

$427.405
500

$3.79916

$1899.58
1000

$3.25302

$3253.02
2000

$3.06307

$6126.14

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™ 5
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 270µA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	15600 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)

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