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IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPN80R2K4P7ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-SOT223

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223

Menge:

Auf Lager : 1895 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.817

$0.817
10

$0.67165

$6.7165
100

$0.5225

$52.25
500

$0.44285

$221.425
1000

$0.36075

$360.75

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ P7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Base Product Number	IPN80R2
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max)	6.3W (Tc)
Supplier Device Package	PG-SOT223
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.5A (Tc)

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