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IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPN80R1K4P7ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-SOT223

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 4A SOT223

Menge:

Auf Lager : 3066 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.045

$1.045
10

$0.93575

$9.3575
100

$0.72941

$72.941
500

$0.6025

$301.25
1000

$0.47567

$475.67

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ P7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 70µA
Base Product Number	IPN80R1
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max)	7W (Tc)
Supplier Device Package	PG-SOT223
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)

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