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IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-SOT223-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 3A SOT223

Menge:

Auf Lager : 5672 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.684

$0.684
10

$0.5909

$5.909
100

$0.40935

$40.935
500

$0.34201

$171.005
1000

$0.29107

$291.07

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™PFD7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-261-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 30µA
Base Product Number	IPN60R2
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max)	6W (Tc)
Supplier Device Package	PG-SOT223-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	134 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Tc)

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