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IPN50R950CE

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPN50R950CE

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-SOT223-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

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Firmenname

Land

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ CE
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-261-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max)	5W (Tc)
Supplier Device Package	PG-SOT223-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	231 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.6A (Tc)

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