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IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPN50R800CEATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-SOT223

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223

Menge:

Auf Lager : 17790 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.6555

$0.6555
10

$0.5719

$5.719
100

$0.39596

$39.596
500

$0.33082

$165.41
1000

$0.28155

$281.55

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ CE
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 130µA
Base Product Number	IPN50R800
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max)	5W (Tc)
Supplier Device Package	PG-SOT223
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.6A (Tc)

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