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IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPN50R1K4CEATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-SOT223-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223

Menge:

Auf Lager : 3000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.5795

$0.5795
10

$0.49495

$4.9495
100

$0.34399

$34.399
500

$0.2686

$134.3
1000

$0.21832

$218.32

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ CE
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 70µA
Base Product Number	IPN50R1
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max)	5W (Tc)
Supplier Device Package	PG-SOT223-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	178 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.8A (Tc)

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