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IPL65R1K0C6SATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPL65R1K0C6SATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TSON-8-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ C6
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 150µA
Base Product Number	IPL65R1
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	34.7W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TSON-8-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	328 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.2A (Tc)

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