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IPI70R950CE

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPI70R950CE

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO262-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 150mA
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	68W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO262-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	328 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.4A (Tc)

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