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IPI65R190C6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPI65R190C6XKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO262-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262-3

Menge:

Auf Lager : 480 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.686

$3.686
10

$3.3079

$33.079
100

$2.71054

$271.054
500

$2.30745

$1153.725
1000

$1.94603

$1946.03
2000

$1.84873

$3697.46
5000

$1.77923

$8896.15

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 730µA
Base Product Number	IPI65R190
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max)	151W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO262-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1620 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20.2A (Tc)

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