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IPI60R165CPXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPI60R165CPXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO262-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

HIGH POWER_LEGACY

Menge:

Auf Lager : 500 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.187

$5.187
10

$4.3586

$43.586
100

$3.52602

$352.602
500

$3.13425

$1567.125
1000

$2.68371

$2683.71
2000

$2.527

$5054

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS®
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 790µA
Base Product Number	IPI60R165
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max)	192W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO262-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)

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