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IPI147N12N3GAKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPI147N12N3GAKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO262-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3

Menge:

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Product Status	Discontinued at Digi-Key
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 61µA
Base Product Number	IPI147
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max)	107W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO262-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3220 pF @ 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	56A (Ta)

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