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IPI120N10S403AKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPI120N10S403AKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO262-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

IPI120N10S4-03 - 75V-100V N-CHAN

Menge:

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Firmenname

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 180µA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO262-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10120 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)

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