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IPI076N12N3GAKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPI076N12N3GAKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO262-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3

Menge:

Auf Lager : 500 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.116

$3.116
10

$2.80155

$28.0155
100

$2.29577

$229.577
500

$1.95432

$977.16
1000

$1.64823

$1648.23
2000

$1.56581

$3131.62
5000

$1.50695

$7534.75

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 130µA
Base Product Number	IPI076
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	188W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO262-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6640 pF @ 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)

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