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IPDD60R190G7XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPDD60R190G7XTMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-HDSOP-10-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10

Menge:

Auf Lager : 167 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.0115

$3.0115
10

$2.527

$25.27
100

$2.04402

$204.402
500

$1.81691

$908.455

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ G7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	10-PowerSOP Module
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 210µA
Base Product Number	IPDD60
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max)	76W (Tc)
Supplier Device Package	PG-HDSOP-10-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	718 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Tc)

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