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IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD95R2K0P7ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 8390 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.311

$1.311
10

$1.07445

$10.7445
100

$0.83543

$83.543
500

$0.70809

$354.045
1000

$0.57682

$576.82

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ P7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 80µA
Base Product Number	IPD95R2
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max)	37W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	950 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)

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