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IPD90R1K2C3ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD90R1K2C3ATMA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 2500 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.71

$1.71
10

$1.4231

$14.231
100

$1.13287

$113.287
500

$0.9586

$479.3
1000

$0.81337

$813.37

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 310µA
Base Product Number	IPD90
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	710 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.1A (Tc)

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