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IPD90N06S4L03ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD90N06S4L03ATMA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3-11

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31

Menge:

Auf Lager : 3461 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.014

$2.014
10

$1.8107

$18.107
100

$1.4553

$145.53
500

$1.1957

$597.85
1000

$0.99072

$990.72

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 90µA
Base Product Number	IPD90
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13000 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)

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