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IPD80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD80R900P7ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 3918 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.4915

$1.4915
10

$1.21695

$12.1695
100

$0.94639

$94.639
500

$0.80219

$401.095
1000

$0.65348

$653.48

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ P7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 110µA
Base Product Number	IPD80R900
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max)	45W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)

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