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IPD80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD80R3K3P7ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 7500 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

2500

$0.3396

$849
5000

$0.32343

$1617.15
12500

$0.30851

$3856.375
25000

$0.30791

$7697.75

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ P7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 30µA
Base Product Number	IPD80R3
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max)	18W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	120 pF @ 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.9A (Tc)

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