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IPD80R2K8CEATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD80R2K8CEATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 4980 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.102

$1.102
10

$0.89965

$8.9965
100

$0.69977

$69.977
500

$0.59316

$296.58
1000

$0.48318

$483.18

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ CE
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 120µA
Base Product Number	IPD80R2
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max)	42W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	290 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.9A (Tc)

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