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IPD80R2K7C3AATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD80R2K7C3AATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

D-Pak

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH TO252-3

Menge:

Auf Lager : 4219 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.444

$1.444
10

$1.2996

$12.996
100

$1.04471

$104.471
500

$0.85836

$429.18
1000

$0.71121

$711.21

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 250µA
Base Product Number	IPD80R2
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max)	42W (Tc)
Supplier Device Package	D-Pak
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	290 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Tc)

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