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IPD80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD80R1K2P7ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 14954 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.292

$1.292
10

$1.0602

$10.602
100

$0.82488

$82.488
500

$0.69921

$349.605
1000

$0.56959

$569.59

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ P7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 80µA
Base Product Number	IPD80R1
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max)	37W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300 pF @ 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A (Tc)

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