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IPD80P03P4L07ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD80P03P4L07ATMA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3-11

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31

Menge:

Auf Lager : 21743 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.767

$1.767
10

$1.46775

$14.6775
100

$1.16831

$116.831
500

$0.98853

$494.265
1000

$0.83875

$838.75

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	+5V, -16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 130µA
Base Product Number	IPD80P03
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max)	88W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5700 pF @ 25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)

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