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IPD70N12S3-11

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD70N12S3-11

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3-11

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Base Product Number	IPD70
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4355 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	70A (Tc)

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